松岛枫叶飞 我国全面掌抓功率芯片高能氢离子注入时期

松岛枫叶飞

2024年9月10日，国度原子能机构核时期（功率芯片质子放射）研发中心暨国度电力投资集团公司下属核力创芯（无锡）科技有限公司完成首批高能氢离子注入芯片家具委用，家具各项性能揣摸达到海外先进水平，标记着我国全面掌抓功率芯片高能氢离子注入时期，买通了我国功率芯片产业链关键一环。

当今，该研发中心在江苏无锡诞生的国内首条功率芯片高能氢离子注入坐褥线已建成投运。技俩团队以2年时辰集智攻关，壅塞多项关键中枢时期，完成自主研制的氢离子注入专用加快器调试出束，达成100％时期自主和装备零部件国产化，并完成首批800片芯片委用。

据先容，功率芯片是当代电力电子开拓的中枢部分，平时期骗于军工、新动力、航空航天、轨谈交通、特高压输变电等范围。光刻、刻蚀和离子注入是芯片制造三大关键体式，其中氢离子注入是达成离子注入的高精尖时期，关于提升电力电子开拓性能、规定和可靠性至关穷困。此前，由于我国氢离子注入中枢时期及装备缺失，国产功率芯片可靠性难以壅塞，一度成为制约我国功率芯片产业高端化发展的关键"卡脖子"问题。国度原子能机构充分说明核时期上风，对准功率芯片氢离子注入关键时期，依托涉核企管事单元在加快器、材料放射等核范围时期上风，积极赋能功率芯片研制，助力产业转型升级，为半导体离子注入开拓和工艺的全面国产替代奠定了基础。

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起原：国度原子能机构网站松岛枫叶飞